碳化硅生产技术
碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化
2021年7月14日 碳化硅（SiC）晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料，在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。. 但其晶体生长极其困难，只有 2020年12月2日 技术|碳化硅产业链条核心：外延技术. 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高 技术|碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎2020年12月8日 [1] 因此，SiC晶体材料已经成为半导体照明技术领域不可缺少的衬底材料。 其中，SiC衬底加工技术是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度的优劣，直接影响外延薄膜的质量及其器件的性能，因此 工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
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功率半导体碳化硅（SiC）技术 知乎
2020年6月27日 3 人 赞同了该文章. 功率半导体碳化硅（SiC）技术. Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase. 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以最大限 2019年11月4日 碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有 碳化硅（SiC）MOSFET 技术发展史回顾 知乎碳化硅多数分为黑碳化硅和绿碳化硅。纯碳化硅是无色透明的，由于杂质(Al和N等)固溶而变成黑色和绿色，杂质越多，颜色越黑。 图8 黑碳化硅1级和2级的XRD 中国黑碳化硅和绿 碳化硅的生产方法、性能、种类及行业应用_腾讯新闻
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简述碳化硅的生产制备及其应用领域 中国粉体网
2017年4月21日 中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在以 2021年7月14日 碳化硅（SiC）晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料，在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。. 但其晶体生长极其困难，只有少数发达国家掌握SiC晶体生长和加工技术。. SiC晶体国产化，对避免我国宽禁带半导体产业被“卡 碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化2019年9月5日 以下为国内碳化硅产业主要公司： 山东岳：单晶衬底，量产四英寸单晶衬底，独立自主开发6英寸衬底技术。 科合达：单晶衬底，国内首家建立完成碳化硅生产线、实现碳化硅晶体产业化的公司，量产2-4 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
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第三代半导体碳化硅行业深度研究报告_腾讯新闻
2022年3月15日 当，国内厂商碳化硅衬底生产的技术指标与国际主流厂商相比仍有明显差距。 衬底主要的三个几何参数 为 TTV（总厚度偏差）、Bow（弯曲度）及 Wrap（翘曲度），国内厂商与国外领先厂商仍存在明 2020年7月6日 一期投资5000万元，在中关村顺义园租赁厂房1050平方米，建设4—6英寸液相法碳化硅晶体中试生产线。 据介绍，该项目技术将颠覆传统物理气相传输工艺生长技术，可实现碳化硅衬底生长的低成本、高效率、高质量制备。7.5亿元项目开始试产，将颠覆碳化硅衬底生产技术？_腾讯新闻2019年6月13日 因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。. 技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和 系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇_材料
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碳化硅专家访谈 2023-02-04 简书
2023年2月4日 专家访谈. 1、碳化硅的应用场景有哪些？. 不同的场景潜力怎么样？. 碳化硅行业分为半绝缘衬底与导电型衬底，目最有发展景的是导电型衬底，最主要的应用场景是用于新能源汽车中做 MOSFET，替代 IGBT。. MOSFET 体积只有 IGBT 的 1/10，同时可以输出更大的功率2021年10月22日 碳化硅衬底 碳化硅衬底生产的国外核心企业，主要是美国CREE，美国 II-VI，和日本昭和电工，三者合计占据75%以上的市场。技术上，正在从4英寸衬底向6英寸过渡，8英寸硅基衬底在研。第三代半导体重要材料碳化硅（SiC）国产化趋势分析：技术2021年12月6日 与此同时，他们还 收购了一家碳化硅 公司，并与 应用材料 等多家机构联合推动这些技术的产业化。据介绍，这项技术可以将碳化硅衬底的产能提升 10倍，单个晶锭可以生产 500片 晶圆。还可以将碳化硅衬底的电阻率 降低400，使 SiC MOSFET 尺寸缩小15% 。提升10倍晶圆产量！这项碳化硅技术即将量产？-面包板社区
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7.5亿元项目开始试产，将颠覆碳化硅衬底生产技术？_腾讯新闻
2020年7月6日 一期投资5000万元，在中关村顺义园租赁厂房1050平方米，建设4—6英寸液相法碳化硅晶体中试生产线。 据介绍，该项目技术将颠覆传统物理气相传输工艺生长技术，可实现碳化硅衬底生长的低成本、高效率、高质量制备。2021年11月7日 由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本较高，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格 一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素，限制了产品在下游行业的应用和推广。碳化硅价格昂贵，主要原因是其揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿2021年8月24日 五、国内外碳化硅产业发展现状5.1碳化硅产业发展历程SiC虽然具备较多的性能优点，但是迫于SiC材料易碎，尤其是大尺寸SiC的生产一直是个难题，制备难度相对较大，SiC的产业化发展并不顺利。可以清晰地看到国外主流厂家的发展历程（图6）。SiC材料应用研究（三） 五、国内外碳化硅产业发展现状5.1
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碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（一） 转载自：信熹
2021年12月4日 碳化硅技术起步发展较硅材料晚。 美国Cree公司于2000年后量产4英寸碳化硅衬底片，此时硅片尺寸已发展至12英寸，随后碳化硅衬底片尺寸直到 2009年后才推进至6英寸，至今尚无8英寸衬底片量产。衬底片量产时间晚、尺寸小，直接影响了碳化硅2017年4月21日 中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在以下问题：（1）生产设备不先进，很多工序依靠人力完成，人均产量较低。简述碳化硅的生产制备及其应用领域 中国粉体网2022年4月24日 1995 年沈阳星光技术陶瓷有限公司从德国 FCT 公司引进技术和设备，在国内开始了重结晶碳化硅陶瓷材料的制造。1996 年德国 FCT 公司又在唐山投资设厂成立唐山福赛特（FCT）技术陶瓷工业有限公司生产重结晶碳化硅产品 [27]。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
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平面型 OR 沟槽型？碳化硅（SiC）MOSFET的未来发展方向
2022年9月13日 意法在碳化硅研发上继续投入相当资源。在生产技术上，意法于2021年年中宣布其挪威分部STMicroelectronics Silicon Carbide A.B. 开始进行8寸碳化硅材料的实验室制造，预计相应技术将在2025年后成熟，并应用到规划中的新加坡8寸碳化硅生产线中。
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